特許
J-GLOBAL ID:200903049230029010

SiOx(x<1)の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-121954
公開番号(公開出願番号):特開2007-290919
出願日: 2006年04月26日
公開日(公表日): 2007年11月08日
要約:
【課題】高容量でかつサイクル低下がなく、しかも初回充放電時における不可逆容量の少ないリチウムイオン二次電池用負極材として適したSiOx(x<1)の製造方法を提供する。【解決手段】酸化珪素ガスを発生する原料を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,100〜1,600°Cの温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させる一方、金属珪素を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,800〜2,400°Cの温度範囲で加熱し、珪素ガスを発生させ、上記酸化珪素ガスと金属珪素ガスとの混合ガスを基体表面に析出させることを特徴とするSiOx(x<1)の製造方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸化珪素ガスを発生する原料を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,100〜1,600°Cの温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させる一方、金属珪素を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,800〜2,400°Cの温度範囲で加熱し、珪素ガスを発生させ、上記酸化珪素ガスと金属珪素ガスとの混合ガスを基体表面に析出させることを特徴とするSiOx(x<1)の製造方法。
IPC (2件):
C01B 33/113 ,  H01M 4/48
FI (2件):
C01B33/113 A ,  H01M4/48
Fターム (29件):
4G072AA24 ,  4G072BB05 ,  4G072DD04 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH13 ,  4G072RR04 ,  4G072RR11 ,  4G072RR21 ,  4G072RR30 ,  4G072UU30 ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CA11 ,  5H050CB02 ,  5H050DA03 ,  5H050EA09 ,  5H050EA24 ,  5H050GA02 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14 ,  5H050HA15
引用特許:
出願人引用 (5件)
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