特許
J-GLOBAL ID：200903049230856499
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-274137
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130847
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高い層間絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 まず、シリコン基板1に配線下絶縁膜2を堆積し、配線3を形成する。その後、シラン系の原料を使用したプラズマCVD法によって第1の酸化シリコン層4を薄膜で形成する。そして、テトラエトキシシランを用いたオゾン常圧CVD法で第2の酸化シリコン膜5を形成し、エッチバックののち、テトラエトキシシランを用いたプラズマCVD法によって第3の酸化シリコン膜8を形成する。
請求項（抜粋）：
配線を含む表面上に絶縁膜が形成された半導体装置において、前記絶縁膜が、シラン系原料を使用するプラズマCVD法によって前記表面上に形成された第1の酸化シリコン膜と、有機シラン系原料を利用するオゾン常圧CVD法によって前記第1の酸化シリコン膜上に形成された第2の酸化シリコン膜と、有機シラン系原料を使用するプラズマCVD法によって前記第2の酸化シリコン膜上に形成された第3の酸化シリコン膜とからなる3層構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
