特許
J-GLOBAL ID：200903049262127049
太陽電池モジュールの作製方法及びその作製装置
出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社
松下電器産業株式会社 について
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273569
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139351
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 薄膜形成後にのみ薄膜を加工し、高い生産性と歩留まりを得ることがきる薄膜太陽電池モジュールの製造方法及びその作製装置を提供する。【構成】 絶縁性基板1上に下部電極2と半導体薄膜による接合層3と上部電極4を全面形成した後、前記下部電極2と半導体薄膜による接合層3と上部電極4をレーザー光線を用いてライン状に切断して複数個の短冊状の島を面内に形成する工程と、レーザー光線の近傍に複数種のガスを導くことによって絶縁性薄膜を前記レーザー光線で加工した切口の断面部に選択的に形成する工程と、前記切口の近傍を前記半導体薄膜による接合層3と上部電極4のみをレーザー光線を用いて切断し、下部電極2をライン状に露出させる工程と、該露出した下部電極2Bと隣接する島の上部電極4Aとを電気的に接続するための接続電極5を形成する工程とよりなる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に下部電極と半導体薄膜による接合層と上部電極を全面形成した後、前記下部電極と半導体薄膜による接合層と上部電極をレーザー光線を用いてライン状に切断して複数個の短冊状の島を面内に形成する工程と、レーザー光線の照射部近傍に複数種のガスを導くことによって前記レーザー光線で加工した切口の断面部に絶縁性薄膜を選択的に形成する工程と、前記切口の近傍を前記半導体薄膜による接合層と上部電極のみをレーザー光線を用いて切断し、下部電極をライン状に露出させる工程と、該露出した下部電極と隣接する島の上部電極とを電気的に接続するための接続電極を形成する工程とよりなることを特徴とする薄膜太陽電池モジュールの作製方法。
FI (2件)：
引用特許：
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved