特許

J-GLOBAL ID：200903049262271212

半導体集積回路装置

発明者： 佐々木 忠寛 ,  西堀 一弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056887
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255873
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【構成】本発明は、キャパシタを構成する電極をグランドもしくはシールドとして利用するよう構成した半導体集積回路装置である。【効果】本発明によれば、キャパシタ電極間に生じる輻射ノイズの発生を防ぎ、周囲に配置された素子との容量性カップリングを防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上または誘導体基板上に第一の導体膜を形成し、第一の導体膜上に誘電体膜を挟んでその上に第二の導体膜を形成し、第二の導体膜上に誘電体膜を挟んで第三の導体膜を形成し、キャパシタの第一電極を第二の導体膜を用いて構成し、第二の導体膜を囲む第一、第三、及び第二層を用いてキャパシタの第二電極を構成し、同時に第二電極を用いて第一電極をシールドすることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ユニットキャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-200968   出願人：日本モトローラ株式会社