特許

J-GLOBAL ID：200903049272303562

シリコン微細加工方法と該方法を用いて製造した表面性状制御多目的シリコン基板

発明者： 大泊 ▲巌▼ ,  黄 明植 ,  品田 賢宏 ,  佐原 壮一 ,  後藤 知己
出願人/特許権者： 学校法人早稲田大学 ,  日本学術振興会
代理人 (1件)： 玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188781
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015484
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的はイオンビームおよびヒドラジンによる異方性ウェットエッチングを用いた自己整合的シリコン微細加工方法と該方法を用いて製造した表面性状制御多目的シリコン基板を提供することにある。【構成】 シリコン基板へのイオンビーム照射損傷導入によりシリコン基板のヒドラジン(H2 N4 )エッチング耐性が増強するという本発明者らの発見した新現象を応用して、イオンビームをドット状,ライン状等にシリコン基板に照射し、その後ヒドラジンエッチングを行なう2段階の工程により、凸型ピラミッド群,凹型ピラミッド群等の配列構造を形成した表面性状制御多目的シリコン基板。

請求項（抜粋）：

集束イオンビームをシリコン表面に照射して局部的損傷領域を導入する第1の工程と、前記第1の工程後、ヒドラジンエッチングを行なう第2の工程とから構成されるシリコン微細加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/265 W

Fターム (6件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD02 ,  5F043DD17 ,  5F043FF03 ,  5F043GG10