特許
J-GLOBAL ID:200903049304787672
磁気ヘッド、及びこれを用いた磁気記録再生装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-090715
公開番号(公開出願番号):特開2001-273613
出願日: 2000年03月27日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 本願発明は、トンネル磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果センサにおいて、バルクハウゼンノイズを抑制し、安定性のある磁気抵抗効果センサ及びこれを用いた再生ヘッド、並びに磁気記録再生装置を提供するものである。【解決手段】 本願発明は、トンネル磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流すための一対の電極と、記録媒体面からの磁束を前記磁気抵抗効果膜に導くための磁束ガイドを備えた磁気抵抗効果センサにおいて、前記トンネル型磁気抵抗効果膜の自由層及び前記磁束ガイド双方の磁区を併せ制御されてなることを特徴とする磁気抵抗効果センサである。
請求項(抜粋):
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流すための一対の電極と、記録媒体面からの磁束を前記磁気抵抗効果膜に導くための磁束ガイドを有し、前記磁気抵抗効果膜は強磁性層を含む自由層と、トンネル障壁層と、強磁性層を含む固定層と、前記固定層の磁化を固定する反強磁性層とを備えたトンネル型磁気抵抗効果膜であり、且つ前記トンネル型磁気抵抗効果膜の自由層及び前記磁束ガイド双方の磁区を併せ制御可能な磁気抵抗効果センサを有することを特徴とする磁気ヘッド。
IPC (3件):
G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01L 43/08
FI (3件):
G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01L 43/08 Z
Fターム (13件):
5D034BA05
, 5D034BA15
, 5D034BB12
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
引用特許:
審査官引用 (5件)
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磁気記録再生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-144784
出願人:株式会社日立製作所
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磁気抵抗効果ヘッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-046443
出願人:日本電気株式会社
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磁気抵抗効果ヘッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-309051
出願人:富士通株式会社
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