特許

J-GLOBAL ID：200903049344679716

半導体装置およびその製造方法

発明者： 原 英貴 ,  加藤 正明 ,  八月朔日 猛 ,  岡田 亮一
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-271691
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158313
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 導電性フレーム上に電解メッキ法によって導体配線を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、メッキ用レジスト残渣の発生や半導体素子の封止時の不具合をなくし、工程短縮、半導体素子の封止不良数の大幅な低減を可能とする装置構造と製造方法を提供する。【解決手段】 導電性フレーム上に半導体素子と接続するためのパッドと導体配線、該半導体素子搭載後の外部接続用パッドが電解メッキ法によって形成され、そのメッキの厚みがメッキ用レジストとほぼ等しく、また、メッキ用レジストが剥離されることなく該半導体装置内に封止され、該導体配線間の絶縁層として機能することを特徴とする半導体装置の構造と製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載し、封止された半導体装置において、メッキ用レジスト上に該半導体素子を搭載し、該メッキ用レジスト内に該半導体素子と接続するためのパッドと外部接続用のパッドと導体配線が形成された構造であって、該パッドと該導体配線とメッキ用レジストの厚みが同じであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/50 K

Fターム (5件)：

5F067AA01 ,  5F067BC12 ,  5F067DE01 ,  5F067DF01 ,  5F067DF20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-225243   出願人：新光電気工業株式会社