特許
J-GLOBAL ID：200903049359064459
半導体レ-ザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023837
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266060
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 内部損失が小さく、低閾値電流、高光出力効率の得られる透明導波路型AlGaInPレーザを結晶歪による特性悪化を伴わずに実現する。【解決手段】 GaAs基板上に設けられる、活性層と、活性層を上下より挟み込む上部クラッド層および下部クラッド層と、上部クラッド層上に形成され、発振光に対して透明でありストライプ状の開口部を有し、AlGaInPまたはAlInPと、GaAsとの少なくとも2層を含む電流ブロック層と、上部クラッド層と電流ブロック層の間および電流ブロック層の開口部によりストライプ状に露出した上部クラッド層の上に形成されるAlを含まないエッチングストッパー層と、電流ブロック層の上、および、電流ブロック層の開口部によりストライプ状に露出したエッチングストッパー層の上に形成されたAlGaAsを含むクラッド層と、を具備し、上部クラッド層はAlGaInPまたはAlInPを含む。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に設けられる、活性層と、前記活性層を上下より挟み込む上部クラッド層および下部クラッド層と、前記上部クラッド層上に形成され、発振光に対して透明でありストライプ状の開口部を有し、AlGaInPまたはAlInPと、GaAsとの少なくとも2層を含む電流ブロック層と、前記上部クラッド層と前記電流ブロック層の間および前記電流ブロック層の開口部によりストライプ状に露出した前記上部クラッド層の上に形成されるAlを含まないエッチングストッパー層と、前記電流ブロック層の上、および、前記電流ブロック層の開口部によりストライプ状に露出した前記エッチングストッパー層の上に形成されたAlGaAsを含むクラッド層と、を具備し、前記上部クラッド層はAlGaInPまたはAlInPを含む半導体であることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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