特許
J-GLOBAL ID：200903049400136240
電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-255252
公開番号（公開出願番号）：特開2004-093929
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】電気光学装置において、高いコントラストの維持等高品質な画像を表示するとともに、走査線及びデータ線間において無用な容量カップリングを生じさせない。【解決手段】電気光学装置は、素子基板(200)上に、一定の方向に延在するように形成されたデータ線(212)と、この上に該データ線と交差する方向に形成された走査線(312)と、この上に形成された第1絶縁層(910)と、該第1絶縁層上でデータ線及び走査線の交差領域に対応するように、かつ、前記走査線と重なり合うように形成された画素電極(234)と、前記交差領域に対応するように形成されたTFD(220)とを備えている。このうち走査線、第1絶縁層及び画素電極により保持容量(290)が構成される。そして、データ線及び走査線間には、前記第1絶縁層よりも厚膜となる第2絶縁層(920)が備えられている。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
電気光学物質からなる層を挟持してなる第1基板及び第2基板と、
前記第1基板上に形成された導電部と、
前記第2基板上で、
一定の方向に延在するように形成された第1導電線と、
該第1導電線上で該第1導電線に交差する方向に形成された第2導電線と、
該第2導電線上に形成された第1絶縁層と、
該第1絶縁層上で前記第1導電線及び前記第2導電線の交差領域に対応するように、かつ、前記第2導電線と重なり合うように形成された画素電極と、
前記交差領域に対応するように形成されたスイッチング素子とを備えてなり、前記第2導電線、前記第1絶縁層及び前記画素電極は、積層構造を構成していることを特徴とする電気光学装置。
IPC (3件)：
G09F9/30
, G02F1/1362
, G02F1/1365
G09F9/30 338
, G02F1/1362
, G02F1/1365
2H092GA12
, 2H092GA16
, 2H092GA17
, 2H092GA24
, 2H092GA25
, 2H092HA02
, 2H092HA03
, 2H092HA04
, 2H092HA05
, 2H092HA06
, 2H092JA01
, 2H092JB16
, 2H092JB24
, 2H092JB33
, 2H092KB25
, 2H092NA01
, 2H092NA23
, 2H092NA27
, 2H092PA06
, 5C094AA03
, 5C094AA06
, 5C094AA43
, 5C094AA45
, 5C094AA53
, 5C094BA04
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA09
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094EA04
, 5C094ED11
, 5C094FB16
, 5C094HA08
