特許

J-GLOBAL ID：200903049413187421

プラズマエッチング方法

発明者： 小林 典之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082716
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282539
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 エッチングストップを抑え、かつ、エッチングホール内にデポジションが発生しないプラズマエッチング方法を提供すること。【解決手段】 処理容器内に導入したCxFy(x≧2)とCF4とを含むガスをプラズマ化して、この処理容器内にある被処理体W中のSiO2膜62を、この膜上にある所定パターンの金属窒化物マスク63を介して、プラズマエッチングする。

請求項（抜粋）：

処理容器内に導入したCxFy(x≧2)とCF4とを含むガスをプラズマ化して、この処理容器内にある被処理体中の膜を、この膜上にある金属窒化物マスクを介して、プラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 101 B ,  H01L 21/302 301 N

Fターム (15件)：

5F004AA09 ,  5F004BA09 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BD03 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004EA05 ,  5F004EA23 ,  5F004EB01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機層間絶縁膜のエッチング処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-325447   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-175354   出願人：ソニー株式会社