特許
J-GLOBAL ID：200903058438370653
有機層間絶縁膜のエッチング処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-325447
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150463
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 有機層間絶縁膜に対して垂直に近い角度で配線溝またはビアホールなどを形成することのできる絶縁膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 有機層間絶縁膜上に無機膜を形成する工程と、この無機膜上にフォトレジストのパターンを形成する工程と、このフォトレジストのパターンをマスクとして前記無機膜をエッチングする工程と、エッチングされた無機膜をマスクとして前記有機層間絶縁膜をエッチングする工程と、このマスク用無機膜を除去する工程とを含むことを特徴とする有機層間絶縁膜のエッチング方法。
請求項（抜粋）：
有機層間絶縁膜上に無機膜を形成する工程と、該無機膜上にフォトレジストのパターンを形成する工程と、該フォトレジストのパターンをマスクとして該無機膜をエッチングする工程と、エッチングされた該無機膜をマスクとして該有機層間絶縁膜をエッチングする工程と、該無機膜を除去する工程とを含むことを特徴とする有機層間絶縁膜のエッチング方法。
Fターム (39件)：
5F004AA02
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004BA13
, 5F004BA14
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA04
, 5F004DA05
, 5F004DA06
, 5F004DA11
, 5F004DA15
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004DA28
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB08
, 5F004DB09
, 5F004DB10
, 5F004DB12
, 5F004DB23
, 5F004DB25
, 5F004EA05
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EA28
, 5F004EB01
, 5F004EB04
