特許
J-GLOBAL ID:200903049414727276

信号遅延装置及び半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-005054
公開番号(公開出願番号):特開平11-203863
出願日: 1998年01月13日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【課題】 バーストモードにおいて高速な読み出し動作を実現する。【解決手段】 シンクロナスDRAM等のバーストモードを持つ半導体記憶装置において、パイプライン動作を行う構成とする。メモリセルアレイ1の読出回路と出力バッファ8との間に、入力制御信号DSEL0,DSEL1により入力が制御され出力制御信号OSEL0,OSEL1により出力が制御される記憶回路を複数並列に接続したFIFOバッファ2を配置する。カウンタ9は同期信号ICLKを計数する。入力制御部6はカウント信号OCNT0,OCNT1に基づいて信号DSEL0,DSEL1を生成する。出力制御部7は信号OCNT0,OCNT1に基づいて信号OSEL0,OSEL1を生成する。
請求項(抜粋):
入力制御信号によりデータの入力が制御されると共に、出力制御信号によりデータの出力が制御されるデータレジスタを複数並列に接続し、入力制御信号と出力制御信号とを同一の信号発生回路の出力を基に生成するようにしたことを特徴とする信号遅延装置。
FI (2件):
G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 354 C
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • データ処理システム及びその動作方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-191071   出願人:モノリシック・システム・テクノロジー・インコーポレイテッド
  • 半導体メモリ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-266363   出願人:日本電気株式会社
  • 特開平3-138740
審査官引用 (4件)
  • データ処理システム及びその動作方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-191071   出願人:モノリシック・システム・テクノロジー・インコーポレイテッド
  • 半導体メモリ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-266363   出願人:日本電気株式会社
  • 特開平3-138740
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