特許
J-GLOBAL ID:200903049417127857

フォトレジスト剥離用組成物および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 香川 幹雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-191406
公開番号(公開出願番号):特開平10-020511
出願日: 1996年07月02日
公開日(公表日): 1998年01月23日
要約:
【要約】【課題】フォトレジストの剥離を室温近辺の低温ででき、剥離液の溶媒蒸気が発生しにくく、操業中の溶媒組成比が変動しにくい汎用性のあるフォトレジスト剥離用組成物と、半導体の材料を腐食しにくく、火災安全性から有利な半導体装置の製造方法が提供される。【解決手段】このフォトレジスト剥離用組成物は、極性溶媒10〜99重量%と、エチレンジアミンまたはエチレンジアミン水和物1〜90重量%からなり、5〜50°Cのような低温でフォトレジストを剥離でき、半導体装置の製造に適用できる。
請求項(抜粋):
極性溶媒、およびエチレンジアミンまたはエチレンジアミン水和物からなることを特徴とするフォトレジスト剥離用組成物。
IPC (5件):
G03F 7/42 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/308
FI (5件):
G03F 7/42 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/30 572 B
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • レジスト用剥離液組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-211525   出願人:東京応化工業株式会社
  • 特開昭63-231343

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