特許
J-GLOBAL ID：200903049436811734
アルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070355
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283443
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 各原料ガスを常時、一定のガス組成で供給し、良質なアルミニウム合金薄膜を形成するアルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置を提供する。【構成】 形成装置は、化学気相成長によって合金薄膜を形成する反応容器10内に、混合原料ガスを基板11上に導入する原料供給ノズル13、及び、このノズルに対向して配置され、向基板11を支持するサセプター12を備える。反応容器10の相対する側面には、KClの窓部材15a,15bを設けており、光源16から発せられた赤外光が窓部材15aから反応容器10内に入射する。この赤外光は、原料供給ノズル13から導入される混合原料ガスを透過し、対向側の窓部材15bを介して、赤外分光分析器17の受光面に到達する。これによって、混合原料ガスのガス組成を常時検出する。
請求項（抜粋）：
Al原料ガス及びCu原料ガスを含む混合原料ガスを反応容器内に供給し、化学気相成長により、被成膜基板上にアルミニウム合金薄膜を形成するアルミニウム合金薄膜の形成方法であって、前記被成膜基板上に導入され、この付近に存在する前記混合原料ガスに含まれる、Al原料成分とCu原料成分との組成比を検出し、この検出結果に基づいて、前記反応容器内に供給する前記Al原料ガス及びCu原料ガスの供給量を制御し、前記Al原料成分とCu原料成分との組成比を一定に維持することを特徴とするアルミニウム合金薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/285 301
, H01L 21/365
, H01L 21/3205
