特許
J-GLOBAL ID：200903049450195868

イオンビーム成膜装置

発明者：
渡辺 正幸

渡辺 正幸 について

, 
松田 直樹

松田 直樹 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338481
公開番号（公開出願番号）：特開2002-146530
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：
【要約】【課題】 形成する薄膜の膜厚を厳密にコントロールできるイオンビーム成膜装置およびエッチング厚を厳密にコントロールできるイオンビームエッチング装置を提供する。【解決手段】 イオンビームを引き出し加速するグリッド4に供給される電流をグリッド電流測定部5により測定し、さらに測定した電流を電圧変換して出力する。グリッド電流測定部5から出力されるビーム電流に比例した電圧は電圧-周波数変換器9により、電圧に比例した周波数を持つパルスに変換され、それを計数器10により計数する。計数器10は、シャッター開閉制御機構11よりのシャッター開信号を持って計数を開始し、あらかじめ設定しておいた値に計数値が達すると、シャッター開閉制御機構11に閉信号を送出する。閉信号を受けたシャッター開閉制御機構11はシャッター駆動機構16によりシャッター15を閉じ、試料基板19上での成膜を終了させる。
請求項（抜粋）：
イオン源と、イオン源からイオンをビーム状に引き出すグリッドと、イオンビームが照射されるターゲットと、試料基板を支持する試料ホルダと、試料基板へ到達するターゲット構成物質を遮蔽するシャッター機構を備えたイオンビーム成膜装置において、イオン電流あるいはグリッド電流を測定する電流測定部と、電流測定部において測定される電流値を積分する演算機構と、演算機構において積算された電流値に応じて前記シャッターの開閉時間を制御するシャッター開閉制御機構を有することを特徴とするイオンビーム成膜装置。
IPC (4件)：
C23C 14/46 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
C23C 14/46 B ,  C23C 14/54 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/302 A
Fターム (12件)：
4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA12 ,  4K029DC37 ,  5F004BA11 ,  5F004CA03 ,  5F004CA09 ,  5F004CB05 ,  5F004CB11 ,  5F103AA06 ,  5F103BB32 ,  5F103BB58
引用特許：
審査官引用 (4件)
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