特許
J-GLOBAL ID：200903049462261980
積層フェリ型磁性薄膜並びにそれを使用した磁気抵抗効果素子及び強磁性トンネル素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127656
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324225
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 大きな反強磁性的交換結合エネルギー及び優れた軟磁気特性を同時に実現し、かつ精密な非磁性中間層膜厚制御の必要がない積層フェリ型磁性薄膜を提供する。【解決手段】 積層フェリ型磁性薄膜は、2つの強磁性層308,309と、それらに挟まれた非磁性中間層304よりなり、各強磁性層が非磁性中間層を介して反強磁性的に磁気結合する。各強磁性層は複数の層よりなる。各強磁性層において、非磁性中間層と接する層はCo又はCoを含む合金とし、その膜厚を夫々0.1nm以上とする。また、各強磁性層において、少なくとも1層以上はNi又はNiを含む合金とし、その膜厚を夫々強磁性層の膜厚の少なくとも60%以上とする。非磁性中間層304はRu、Rh、Ir、Cuか、又はその合金により形成されている。
請求項（抜粋）：
第1強磁性層、第2強磁性層、及びそれらの中間に配置されて双方に接する非磁性中間層を有し、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層が前記非磁性中間層を介して反強磁性的に磁気結合する積層フェリ型磁性薄膜において、前記第1強磁性層が、少なくとも1層以上の層よりなる第1主強磁性層と、前記第1主強磁性層と前記非磁性中間層の中間に配置されて双方に接する第1界面強磁性層とからなり、前記第2強磁性層が、少なくとも1層以上の層よりなる第2主強磁性層と、前記第2主強磁性層と前記非磁性中間層の中間に配置されて双方に接する第2界面強磁性層とからなり、前記第1界面強磁性層及び前記第2界面強磁性層がCo又はCo合金により形成され、前記第1主強磁性層のうちの少なくとも1層及び前記第2主強磁性層のうちの少なくとも1層が前記第1界面強磁性層及び前記第2界面強磁性層より保磁力が小さい軟磁性膜により形成され、前記第1主強磁性層のうちの軟磁性膜よりなる層の合計膜厚が前記第1強磁性層の膜厚の60%以上であり、前記第2主強磁性層のうちの軟磁性膜よりなる層の合計膜厚が前記第2強磁性層の膜厚の60%以上であることを特徴とする積層フェリ型磁性薄膜。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/10
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 M
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/10
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049DB12
