特許
J-GLOBAL ID：200903049463588745
Mg含有ITOスパッタリングターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243241
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055759
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：
【要約】【課題】製造工程中にクラックが発生するのを抑制し高い歩留まりを達成することができ、安定的に低コストで高密度なMg含有ITOスパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。【解決の手段】実質的にIn、Sn、MgおよびOからなるMg含有ITOスパッタリングターゲットであって、酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム-酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、成形した後、焼結してなる焼結体を加工するMg含有ITOスパッタリングターゲットの製造方法を用いる。
請求項（抜粋）：
実質的にIn、Sn、MgおよびOからなるMg含有ITOスパッタリングターゲットであって、酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム-酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、成形した後、焼結してなる焼結体を加工することを特徴とする、Mg含有ITOスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, C04B 35/00 R
4G030AA07
, 4G030AA34
, 4G030AA39
, 4G030BA02
, 4G030BA15
, 4G030CA08
, 4G030GA25
, 4K029BA45
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029DC05
, 4K029DC09
