特許

J-GLOBAL ID：200903049467863040

磁気抵抗センサ及び磁気抵抗ヘッド

発明者： 瀬山 喜彦 ,  田中 厚志 ,  長坂 恵一 ,  清水 豊 ,  江口 伸 ,  金井 均 ,  近藤 玲子 ,  岸 均
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286327
公開番号（公開出願番号）：特開2002-092829
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 大きな抵抗変化量を得ることのできるスピンバルブ磁気抵抗センサ及びスピンバルブ磁気抵抗ヘッドを提供する。【解決手段】 スピンバルブ磁気抵抗センサであって、第1の導体層と、該第1の導体層上に配置されたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に配置された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に配置されたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に配置された反強磁性層と、該反強磁性層上に配置された第2の導体層を含んでいる。フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方が、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有している。フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方の層厚は、3nm〜12nmの範囲内である。

請求項（抜粋）：

第1の導体層と第2の導体層の間に、磁気抵抗効果膜が配置された磁気抵抗センサであって、前記磁気抵抗効果膜は、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有していることを特徴とする磁気抵抗センサ。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (19件)：

2G017AC01 ,  2G017AC07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA18 ,  5D034BB02 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036767   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜磁気ヘッドとその製造法及びそれを用いた磁気ディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-239268   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206311   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション