特許
J-GLOBAL ID:200903049516658767

電気回路基体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-424989
公開番号(公開出願番号):特開2005-183804
出願日: 2003年12月22日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】 多孔質の基体の性質を利用して、電気回路の一部であるスルーホールと電気回路とを簡単に形成する方法を提供すること。【解決手段】 多孔質基体に導電性液体を部分的に浸透させることにより、スルーホールを形成し、スルーホールに電気的に接続された導電パターンを形成することで、電気回路を形成する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
多孔質基体に導電性液体を部分的に浸透させることにより、前記多孔質基体中に浸透した前記導電性液体を電気回路の一部とすることを特徴とする電気回路の製造方法。
IPC (8件):
H01L21/3205 ,  B41J2/01 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H05K1/11 ,  H05K3/10 ,  H05K3/40
FI (8件):
H01L21/88 B ,  H01L21/288 Z ,  H05K1/11 N ,  H05K3/10 D ,  H05K3/40 K ,  B41J3/04 101Z ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/28
Fターム (45件):
2C056EA24 ,  2C056FB01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB25 ,  5E317CC25 ,  5E317GG16 ,  5E343AA02 ,  5E343AA14 ,  5E343AA35 ,  5E343AA39 ,  5E343BB21 ,  5E343BB61 ,  5E343BB62 ,  5E343BB72 ,  5E343DD12 ,  5E343FF05 ,  5E343GG11 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F110AA16 ,  5F110BB20 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06
引用特許:
出願人引用 (1件)

前のページに戻る