特許

J-GLOBAL ID：200903049568202850

ポジ型レジスト積層物

発明者： 安波 昭一郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164833
公開番号（公開出願番号）：特開2001-222112
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、0.2μm以下の微細パターンにおけるラインうねり及び現像残査の少ないレジストパターンの形成が可能で、短時間での高温処理が可能かつ製造適性にも優れる、ポジ型レジスト積層物を提供する。【解決手段】 基板上に第1と第2のレジスト層をこの順に有する2層レジストにおいて、第1レジスト層が特定の繰返し単位を含むポリマーを含有し、第2レジスト層が、特定の繰返し単位と活性光線又は放射線の照射で酸を発生する化合物とを含有するポジ型レジスト積層物。

請求項（抜粋）：

基板上に第1レジスト層を有し、この上に第2レジスト層を有する2層レジストにおいて、第1レジスト層が(a-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位を含むポリマーを含有し、また第2レジスト層が、(b)下記一般式(4)で表される繰返し単位と、一般式(5a)と(5b)のうち少なくともひとつの繰返し単位を有するポリマー、あるいは下記一般式(4)で表される繰返し単位と、一般式(5a)と(5b)のうち少なくともひとつの繰返し単位、および一般式(6)で表される繰返し単位を有するポリマーのいずれかと、(c)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。【化1】式(1)中、Y1は水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表し、L1、L2はそれぞれ2価の連結基を表し、Jは置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、アントリル基、又はフェナントリル基を表す。b、cはそれぞれ独立に0又は1を表す。【化2】式(4)中、R2〜R4は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0又は1を表す。【化3】式(5a)中、Y2はY1と同義である。Lは単結合もしくは2価の連結基を表す。Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。【化4】式(5b)中、X1とX2はそれぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、-NH-、-NHSO2-から選ばれた基を表す。L11とL12はそれぞれ独立に単結合もしくは2価の連結基を表す。A2は水素原子、シアノ基、水酸基、-COOH、-COOR5、-CO-NH-R6、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、又は-COOQを表す。(R5とR6はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。)Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。【化5】式(6)中、Zは酸素原子、又はN-R7を表す。R7は水素原子、水酸基、直鎖または分岐を有するアルキル基、あるいは-O-SO2-R8を表す。R8はアルキル基、又はトリハロメチル基を表す。

IPC (13件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 2/50 ,  C08F220/10 ,  C08F222/00 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 43/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (14件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 2/50 ,  C08F220/10 ,  C08F222/00 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 43/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 573

Fターム (61件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB43 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025DA29 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096GA08 ,  2H096GA37 ,  2H096HA01 ,  2H096HA11 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  4J002BG021 ,  4J002BH021 ,  4J002BQ001 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J011QA01 ,  4J011QA03 ,  4J011QA37 ,  4J011QA39 ,  4J011QA43 ,  4J011SA77 ,  4J011SA87 ,  4J011UA01 ,  4J011UA03 ,  4J011UA04 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  4J100AK32S ,  4J100AL02Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL36R ,  4J100AL39R ,  4J100AP16P ,  4J100BA03R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA72P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38 ,  5F046NA05 ,  5F046NA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-186575   出願人：株式会社東芝
• 反射防止膜又は光吸収膜用組成物及びこれに用いる重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-275652   出願人：クラリアントジャパン株式会社
• 特許第2980149号