特許

J-GLOBAL ID：200903049602290845

基板処理装置

発明者： 泉 昭
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145203
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335407
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 低コストで、パージ時間が短く、基板の汚染の少ない基板処理装置を提供する。【解決手段】 各チャンバはN2供給用の給気口と内部雰囲気の排気口を備えており、N2の供給量と内部雰囲気の排気量がチャンバごとに異なるように設定されている。それにより第1処理チャンバPC1〜第4処理チャンバPC4は全て等しく最も低い内部圧力p3に調節され、トランスファモジュールTMはそれより高い内部圧力p2に調節され、さらにローダLおよびアンローダULは最も高い内部圧力p1に調節されている。これにより基板処理装置1全体を高い内部圧力p1に保つ必要がなく、N2を大量に必要としないため低コストでパージ時間が短く、基板の汚染の少ない基板処理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

外部から基板を受け取る受け取り室と前記基板に各種処理を施す複数の処理室と外部に基板を渡す渡し室とが基板の搬送室の周囲に配列され、前記複数の処理室と受け取り室と渡し室とに対する基板の搬送が前記搬送室を介して行われる基板処理装置であって、前記複数の処理室と渡し室と搬送室とのそれぞれに不活性ガス供給手段が設けられ、前記不活性ガスによる各室内の圧力が、(渡し室の圧力)>(搬送室の圧力)>(複数の処理室の圧力)かつ、(搬送室の圧力)>(受け取り室の圧力)の関係に保たれることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/68 A ,  H01L 21/304 341 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 処理装置内の被処理体の搬送方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-021932   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-291640   出願人：シャープ株式会社, 株式会社プラズマシステム