特許
J-GLOBAL ID:200903049623389868

2層積層膜およびこれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-343455
公開番号(公開出願番号):特開2008-158007
出願日: 2006年12月20日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】リフトオフによる蒸着および/またはスパッタ膜の形成方法に関し、基板表面に、ライン/スペースが10μm/10μm以下のような微細パターンにおいても、アンダーカットがパターン間の下部で繋がらないようにアンダーカット形状を制御することが可能なレジストパターンを、1回の露光および現像で得て、バリのない製膜層を容易に形成することができる2層レジスト膜およびこれを形成するパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定のポジ型感放射線性樹脂組成物1と特定のポジ型感放射線性樹脂組成物2を塗布し2層積層膜を形成し、一回の露光により2層積層膜からなるレジストに断面がアンダーカット形状をした微細パターンを形成し、次にこれをマスク材として有機あるいは無機薄膜等を蒸着および/またはスパッタし、リフトオフすることで所望の形状を有するパターンを形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で表される構造単位および下記一般式(2)で表される構造単位を含有し、構成する全構造単位を100重量%としたときにカルボキシル基を有する構造単位が1重量%未満である重合体、(B)キノンジアジド基含有化合物および(C)溶 剤、を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物1から得られる2層積層膜の下層(レジスト 層I)と、 (D)フェノール性水酸基を有する重合体、(E)キノンジアジド基含有化合物および(F)溶剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物2から得られる2層積層膜の上層(レジ スト層II)を用いる事を特徴とする2層積層膜。
IPC (5件):
G03F 7/095 ,  G03F 7/023 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027
FI (6件):
G03F7/095 ,  G03F7/023 ,  G03F7/004 504 ,  G03F7/26 513 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 573
Fターム (23件):
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025DA13 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA06 ,  2H096GA09 ,  2H096HA28 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  5F046NA05
引用特許:
出願人引用 (1件)

前のページに戻る