特許

J-GLOBAL ID：200903049623866844

マイクロ波回路基板

発明者： 新居 眞敏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169915
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022964
出願日： 1995年07月05日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【解決手段】 基板1Aとして熱伝導性の高い部材、例えば窒化アルミニウムを用い、その基板1Aに、取り付けすべき半導体デバイス4の厚みとほぼ同等の深さのキャビティ5Aと、そのキャビティ面と前記基板裏面の接地面20とを電気的に接続するスルーホール21とを設けたものである。【効果】 基板自体が放熱用ヒートシンク部材となり、高電力半導体デバイス4に必要な放熱用ヒートシンク部材及び基板に必要な放熱用ヒートシンク部材を不要とし、実装回路基板が軽量化及び小型化される。

請求項（抜粋）：

基板として熱伝導性の高い部材を用い、その基板に、取り付けすべき半導体デバイスの厚みとほぼ同等の深さのキャビティと、そのキャビティ面と前記基板面とを電気的に接続するスルーホールとを設けたことを特徴とするマイクロ波回路基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/36

FI (2件)：

H01L 23/12 301 J ,  H01L 23/36 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ハイブリッドIC
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-019793   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-276745