電子回路

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-023289
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232129
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】金属配線と半導体層との間に良好なコンタクトを形成し、電子回路の信頼性を向上せしめる。【構成】薄いシリコンを主成分とする半導体膜を絶縁基板上に有する電子回路で、前記半導体膜に密着して、チタンと窒素を主な材料として含有する第1の層と、前記第1の層に密着してアルミニウムを主成分とする第2の層からなる配線を有するもの。

請求項（抜粋）：

厚さ1500Å以下のシリコンを主成分とする半導体被膜に接触するチタンと窒素を主な成分として含有する第1の層と、前記第1の層に密着して設けられ、アルミニウムを主成分とする第2の層とからなる配線を有することを特徴とする電子回路。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭63-185066
特開平4-112529
特開昭62-259469

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