特許
J-GLOBAL ID：200903049648534781
配向性強誘電体薄膜素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149871
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342920
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体単結晶(100)基板上に、分極軸が一方向に揃った(111)配向性または(0001)配向性強誘電体薄膜を有する配向性強誘電体薄膜素子を提供する。本発明の配向性強誘電体薄膜素子を用いることにより、高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、または光変調素子等の素子を半導体基板上に作製することができる。【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、半導体単結晶(100)基板上に、面内方位がランダムであるが(111)の結晶配向を持つバッファ層が形成され、さらにその上に(111)または(0001)の結晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする。バッファ層はMgOよりなり、そして、室温〜800°Cの成膜温度および0.1〜100オングストローム/secの成膜速度において成膜することができる。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶(100)基板上に、面内方位がランダムであるが(111)の結晶配向を持つバッファ層が形成され、さらにその上に(111)または(0001)の結晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01B 3/00
