特許
J-GLOBAL ID：200903049657904966

半導体発光素子、発光装置及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-320401
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135554
出願日： 2006年11月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】高効率で光り取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】透光性絶縁層18と第2導電型半導体層との界面に介在される介在領域と、第2導電型半導体層上の、透光性絶縁層18を設けた部分を除く領域を覆う被覆領域Aとを有する透光性導電層20を備え、介在領域の層厚が、被覆領域Aの層厚よりも薄く構成できる。これにより、透光性導電層20の被覆領域Aにおける抵抗率を介在領域よりも低くすることができ、第2導電型パッド電極の周囲の発光を増やすことができる上、電流を均一に分散して光の取り出し効率を改善できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、 前記第1導電型半導体層上の少なくとも一部に形成された発光層と、 前記発光層の上に形成された第2導電型の半導体層と、 前記第2導電型半導体層上の少なくとも一部に形成された透光性絶縁層と、 前記透光性絶縁層上の少なくとも一部に形成された第2導電型パッド電極と、 を備える半導体発光素子であって、さらに、 前記透光性絶縁層と第2導電型半導体層との界面に介在される介在領域と、 前記第2導電型半導体層上の、前記透光性絶縁層を設けた部分を除く領域を覆う被覆領域と、 を有する透光性導電層を備え、 前記介在領域の層厚が、被覆領域の層厚よりも薄く構成されてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA88 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA18 ,  5F041DA19 ,  5F041DA45 ,  5F041DB02 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM