半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286947
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142424
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜をエッチング開口して、露出したSi表面に低抵抗の電極あるいは金属/半導体接合を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】絶縁膜をエッチング開口して、露出したSi表面に金属シリサイドを形成するに際し、エッチングガス中に酸素を添加すること、又はエッチング後に酸素を用いたプラズマ処理又は加熱処理を行うことによって、低抵抗の電極あるいは金属/半導体接合を形成する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

表面に導電層が形成される半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜を酸素原子の含有割合が2〜70%のガスを用いてエッチングすることにより、前記導電層が形成される半導体基板の表面を露出する工程と、この露出した半導体基板の表面に金属膜を形成する工程と、この金属膜を形成する工程及び該工程の後工程において熱処理温度が800°C以下、熱処理時間が1時間以内となるように熱処理を行い、前記半導体基板の表面に金属シリサイドを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/768 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/90 C , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-303157
特開平3-052237
特開平1-187815

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