特許
J-GLOBAL ID：200903049699737695
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長南 満輝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-100737
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114867
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 全面を封止膜で覆われたCSPと呼ばれる半導体装置において、封止材料費を低減する。【解決手段】 配線8を含む保護膜5の上面には第1の封止膜10がその上面が柱状電極9の上面と面一となるように設けられている。シリコン基板1、絶縁膜3、保護膜5及び第1の封止膜10の周側面とシリコン基板1の下面には第2の封止膜12が設けられている。第1の封止膜10は、Naイオン、Kイオン、CaイオンおよびClイオンの各不純物濃度が10ppm以下の比較的高価な第1の封止材料によって形成されている。第2の封止膜12は、Naイオン、Kイオン、CaイオンおよびClイオンの合計不純物濃度が100ppm以上の比較的安価な第2の封止材料によって形成されている。したがって、比較的高価な第1の封止材料のみを用いる場合と比較して、比較的安価な第2の封止材料を用いる分だけ、封止材料費を低減することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
上面に柱状電極が設けられた半導体基板と、前記柱状電極の周囲における前記半導体基板上に設けられ、Naイオン、Kイオン、CaイオンおよびClイオンの各不純物濃度が10ppm以下の第1の封止材料からなる第1の封止膜と、前記半導体基板及び前記第1の封止膜の周側面に設けられ、Naイオン、Kイオン、CaイオンおよびClイオンの合計不純物濃度が100ppm以上の第2の封止材料からなる第2の封止膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L23/12 501P
, H01L23/30 B
4M109AA02
, 4M109BA07
, 4M109CA10
