特許
J-GLOBAL ID：200903018947588321
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鹿嶋 英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147245
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332643
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 信頼性を向上させつつマルチチップモジュール化することができる半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】 ウエハ1-1〜1-3の背面側に裏面側保護膜11を形成してから個片化し、これら個片化された半導体チップA,B,Cをマルチチップモジュールとなるよう並び替えた後、このモジュールの表面および側面を覆うと共に、チップ間隙を充填する第1の表面側保護膜3を形成し、続いて再配線5、ポスト6および第2の表面側保護膜7を設けた後、切断面に所定厚の表面保護膜3が残るようにカットラインCLに沿って再度ダイシングしてマルチチップモジュール化された半導体装置10を形成するので、半導体装置10は背面、表面および側面が全て保護膜3,11で覆われ、これにより信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
個片化された複数個のウエハの半導体チップを一組としたチップモジュールから構成され、前記チップモジュールは、背面を覆う第1の保護膜と、表面およびモジュール毎に個片切断される時の切断面を覆うように形成された第2の保護膜とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 23/52
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L 23/12 L
, H01L 23/52 D
, H01L 25/04 Z
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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