特許
J-GLOBAL ID：200903049719618078
紫外線発光ダイオード
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 沖本 一暁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-506020
公開番号（公開出願番号）：特表2004-531894
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
発光ダイオードを開示する。該ダイオードは、第一導電型を有する炭化珪素基板、該SiC基板の上にあって該基板と同じ導電型を有する第一窒化ガリウム層、GaN、InGaN、及びAlInGaNの中から選択される交互層の複数の繰返しセットから形成されていて該GaN層上にある超格子、該第一窒化ガリウム層と同じ導電型を有していて該超格子上にある第二GaN層、該第二窒化ガリウム層上にある多重量子井戸、該多重量子井戸上にある第三窒化ガリウム層、該基板及び該第一窒化ガリウム層とは反対の導電型を有していて該第三窒化ガリウム層上にあるコンタクト構造、該SiC基板に対するオーミックコンタクト、及び該コンタクト構造に対するオーミックコンタクトを含む。
請求項（抜粋）：
第一導電型を有する炭化珪素基板;
該SiC基板の上にあって該基板と同じ導電型を有する第一窒化ガリウム層;
GaN、InxGa1-xN(式中、0<x<1)、及びAlxInyGa1-x-yN(式中、0<x<1且つ0<y<1且つ0<x+y<1)から成る群より選択される交互層の複数の繰返しセットから形成されていて該GaN層上にある超格子;
該第一GaN層と同じ導電型を有していて該超格子上にある第二GaN層;
該第二GaN層上にある多重量子井戸;
該多重量子井戸上にある第三GaN層;
該基板及び該第一GaN層とは反対の導電型を有していて該第三GaN層上にある接触構造;
該SiC基板に対するオーミックコンタクト;及び
該接触構造に対するオーミックコンタクト
を含む発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041EE25
