仮転写基板及びTFT回路基板の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富康男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370768
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218329
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】凹凸面への追随性が良好であり、かつ、刺激を与えることにより接着力を失う容易に剥離が可能である粘着剤を用いた仮転写基板及びTFT回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 1次基板上に形成したTFT回路を2次基板に転写する際に用いる仮転写基板であって、基材と、前記基材上に付与されており、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有し、かつ、刺激により粘着力が低下する熱可塑性の粘着剤層とを備える仮転写基板。

請求項（抜粋）：

1次基板上に形成したTFT回路を2次基板に転写する際に用いる仮転写基板であって、基材と、前記基材上に付与されており、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有し、かつ、刺激により粘着力が低下する熱可塑性の粘着剤層とを備えることを特徴とする仮転写基板。

IPC (7件)：

H01L 27/12 , C09J201/00 , G02F 1/1368 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 338

FI (6件)：

H01L 27/12 B , C09J201/00 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 627 D

Fターム (50件)：

2H092JA24 , 2H092KA05 , 2H092KB21 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA31 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA18 , 2H092NA25 , 2H092NA29 , 2H092NA30 , 4J040DF041 , 4J040DF051 , 4J040FA141 , 4J040HB18 , 4J040HB41 , 4J040HC14 , 4J040HC15 , 4J040KA12 , 4J040KA13 , 4J040KA37 , 4J040NA19 , 4J040PA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094FA02 , 5C094FB05 , 5C094FB06 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5C094HA08 , 5F110AA30 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110DD30 , 5F110QQ16 , 5G435AA17 , 5G435CC09 , 5G435HH20 , 5G435KK05 , 5G435LL06 , 5G435LL07 , 5G435LL08

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-201159 出願人：株式会社日立製作所
厚膜パターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-272114 出願人：大日本印刷株式会社
特開昭63-017981

全件表示

前のページに戻る