半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249719
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104525
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】光ガイド層を備えた半導体レーザの垂直放射角の低減を実現するための半導体レーザの層構造に関するものである。【構成】半導体基板上に少なくとも第1クラッド層(屈折率n1)、活性層(屈折率n5)、光ガイド層(屈折率n6)、第2クラッド層(屈折率n2)を順次形成し、屈折率の大小関係がn5>n6>(n1及びn2)である光ガイド層付き半導体レーザ装置において、第1のクラッド層と活性層の間に第3のクラッド層を、光ガイド層と第2クラッド層の間に第4のクラッド層を、一方又は両方に挿入し、第3のクラッド層の屈折率n3はn5>n1>n3であり、第4のクラッド層の屈折率n4はn6>n2>n4であることを特徴とする半導体レーザ装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくとも第1のクラッド層、活性層、光ガイド層、第2のクラッド層を順次積層してなる光ガイド層付き半導体レーザ装置において、第1のクラッド層と活性層との間、または光ガイド層と第2のクラッド層との間の少なくとも一方に第3または第4のクラッド層を挿入することを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-112186
特開昭56-040294
特開昭51-105780

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