特許
J-GLOBAL ID：200903049746006912
高いQ値および低い挿入損のFBARを達成するための構造および製作の手順
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華 明裕
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-553710
公開番号（公開出願番号）：特表2006-503448
出願日： 2002年12月17日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
圧電薄膜共振器は基板上で形成される。圧電薄膜共振器は、基板に近接した第1表面と基板から離間した第2表面を有する圧電材料の層を備える。圧電材料の第1表面に残された第1導電層は第1部分を備え、第1部分が備える表面の属する平面は、第2部分に関する表面が属する平面とは異なる。デバイスを形成する方法は、第1電極の第1部分と圧電層とを基板上へ堆積するステップを備える。本方法は、圧電層の下部の、および第1電極の一部分の下部の基板の一部分を除去するステップと、圧電薄膜層の上に、および第1電極の第1部分の上に第1電極の第2部分を堆積するステップを更に備える。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された圧電薄膜共振器であって、前記圧電薄膜共振器は圧電材料の層を備え、前記圧電材料の層が、
前記基板に近接する第1表面と、
前記基板の表面から遠位に位置する第2表面と、
前記圧電材料の層の前記第1表面と接触している部分を含み、非平面状である第1導電層と、
前記圧電材料の層の前記第2表面に接する第2導電層と
を備える、圧電薄膜共振器。
IPC (5件)：
H03H 9/17
, H03H 3/02
, H01L 41/09
, H01L 41/22
, H01L 41/18
H03H9/17 F
, H03H3/02 B
, H01L41/08 U
, H01L41/08 C
, H01L41/22 Z
, H01L41/18 101Z
5J108AA00
, 5J108BB01
, 5J108BB07
, 5J108BB08
, 5J108CC01
, 5J108CC04
, 5J108CC11
, 5J108MM11
