シリコン系物質の選択エッチング方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-104245
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164559
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 1台の装置でシリコンと酸化シリコンとを選択的にエッチングできるようにする。【解決手段】エッチング装置10の放電ユニットは、大気圧状態で供給されたCF4 を放電によって分解してフッ素単原子を生成し、フッ素単原子を含む処理ガスをシリコンウエハ26が配置された処理室24に供給する。処理室24には、シリコンウエハ26を加熱するヒータが設けてあるとともに、窒素ガス源38から窒素ガスが希釈ガスとして流入するようになっている。シリコンウエハ26の酸化されていない部分をエッチングする場合、放電ユニット12からフッ素単原子を含む処理ガスを処理室24に導入するとともに、窒素ガス源38から窒素ガスを処理室24に導入して処理ガスを希釈し、希釈した処理ガス中のフッ素単原子によってシリコンをエッチングする。シリコンウエハ26に形成したシリコン酸化膜をエッチングする場合、フッ素単原子を含む処理ガスを処理室24に導入するとともに、窒素ガス源38からの窒素ガスの一部を水バブリングユニットに通し、水蒸気を添加した窒素ガスを処理室24に導入する。

請求項（抜粋）：

放電により大気圧またはその近傍の圧力下にある安定なフッ素系ガスからフッ素系活性種を生成し、このフッ素系活性種をエッチング処理部に輸送して被処理部材が有する複数のシリコン系物質から選択したシリコン系物質をエッチングする方法であって、エッチング対象のシリコン系物質に応じて前記安定なフッ素系ガスと水蒸気との混合ガス、または水蒸気を添加しない前記安定なフッ素系ガスによりフッ素系活性種を生成するとともに、前記エッチング対象のシリコン系物質に応じて前記フッ素系活性種を含むガスに水蒸気を添加したガス、または水蒸気を添加しない前記フッ素系活性種を含むガスを処理ガスとして前記被処理部材を配置したエッチング処理部に輸送し、前記エッチング対象のシリコン系物質をエッチングする、ことを特徴とするシリコン系物質の選択エッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , C23F 1/12

FI (2件)：

H01L 21/302 P , C23F 1/12

Fターム (19件)：

4K057DA13 , 4K057DB06 , 4K057DD01 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DE20 , 4K057DG06 , 4K057DG12 , 4K057DM39 , 5F004BA03 , 5F004BB26 , 5F004BC03 , 5F004BD07 , 5F004DA01 , 5F004DA20 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07

引用特許：

審査官引用 (2件)

表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-266068 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-049425

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