特許

J-GLOBAL ID：200903049758981953

有機トランジスタおよび有機トランジスタの製造方法

発明者： 菊池 宏 ,  藤崎 好英
出願人/特許権者： 日本放送協会
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-203748
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024862
出願日： 2004年07月09日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】 キャリアの移動度が高く、しきい値電圧と動作電圧が抑制された有機トランジスタを提供する。【解決手段】 基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に有機半導体膜を形成する工程と、前記有機半導体膜に接続される、第1の電極および第2の電極を形成する工程と、を有する有機トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁膜に前記有機半導体膜の配向性を制御するための表面処理を行う、表面処理工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上に有機半導体膜を形成する工程と、 前記有機半導体膜に接続される、第1の電極および第2の電極を形成する工程と、を有する有機トランジスタの製造方法であって、 前記ゲート絶縁膜に前記有機半導体膜の配向性を制御するための表面処理を行う、表面処理工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (37件)：

5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD18 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-076201   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

審査官引用 (1件)

• 導電性有機化合物及び電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-317096   出願人：富士通株式会社