特許
J-GLOBAL ID:200903049764450544

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 春日 讓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-122593
公開番号(公開出願番号):特開2000-315707
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】はんだバンプの疲労寿命が向上され、信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】鉛フリーはんだバンプ7のパッド9又は10と接する部分の面積と等しい面積の円の直径Aとし、鉛フリーはんだバンプ7の体積と等しい体積の球の直径BをB寸法とする。この場合、はんだバンプ7のA寸法をB寸法の0.8倍以上1.1倍以下となるように形成すると、はんだバンプ7とパッド9、10との接触面積が増加し、接合界面の強度が上昇する。また、A寸法が大きくなるに従い、円柱形状に近づき、はんだバンプ7自体の剛性が高くなり、はんだバンプ7に加わる熱変形量が小さくなる。したがって、はんだバンプ7の疲労寿命が向上され、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
請求項(抜粋):
はんだバンプと、このはんだバンプを有する電子部品と、この電子部品を一つ以上搭載した配線基板とを備える半導体装置において、上記はんだバンプと、上記電子部品又は上記配線基板上に形成されたパッドと接する部分の面積と等しい面積の円の直径が、上記はんだバンプの体積と等しい体積の球の直径の0.8倍以上1.1倍以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (3件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 603 B
Fターム (5件):
5F044KK01 ,  5F044KK11 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044RR01

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