特許

J-GLOBAL ID：200903049800380272

半導体集積回路パッケージ、その製造方法、及びその実装方法

発明者： 篠宮 巧治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-327335
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151587
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 高周波回路、高速スイッチング回路に好適なIC製造を可能にする。【構成】 ウェハプロセス中に写真製版技術を用いて外部取り出し電極(S1〜S5)を形成し、その後ウェハ状態のままウェハ上に樹脂を塗布して硬化処理を施し(S7,S8)、ウェハ表面を研磨(S9)して上記外部取り出し電極18を清浄化した電極を作成し、このウェハをダイシング・スライス・カット(S12)してエキスパンディング(S13)して製造し、ウェハ上にパッケージング用樹脂と、研磨処理された電極とを持つ保護パッケージをもつICを形成する。【効果】 ICパッケージング工程をウェハ状態で実施したのでバッジ処理でき、生産効率が向上でき、安価にかつ精度の高いものが得られる効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路パッケージにおいて、ウェハプロセス中に写真製版技術を用いて外部取り出し電極を形成し、その後ウェハ状態のままウェハ上に樹脂を塗布して硬化処理を施し、ウェハ表面を研磨して上記外部取り出し電極を清浄化した電極を作成し、このウェハをダイシング・スライス・カットしてエキスパンディングして製造してなり、ウェハ上にパッケージング用樹脂と、研磨処理された電極とを持つ保護パッケージを有することを特徴とする半導体集積回路パッケージ。

IPC (4件)：

H01L 21/78 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211207   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-304640