特許

J-GLOBAL ID：200903049809654057

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 鐵 さおり ,  坂本 弘美
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309614
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148586
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 ソース,ドレイン電極配線として用いられるMo膜とAl膜との2層構造の導体層を、Al膜に対するMo膜のシフトを抑えつつ、エッチング可能とし、これにより安定した特性を有する高性能薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース,ドレイン電極配線10を、Al系金属膜8とMo膜9との2層構造とするとともに、該Mo膜9を窒素を含むものとして、Mo膜9のエッチレートをAl系金属膜8のエッチレートに近いものとした。

請求項（抜粋）：

絶縁性下地領域上に形成されたソース,ドレイン領域と、該ソース,ドレイン領域につながる導体層とを備え、該導体層を、Al系金属膜と、窒素を含有するMo膜とからなる積層構造とした薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

FI (7件)：

H01L 29/78 612 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235521   出願人：三洋電機株式会社