半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235521
公開番号（公開出願番号）：特開平8-095085
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】画素駆動素子としてのTFTの能動層と液晶セルの表示電極とのオーミックコンタクトを良好にすることが可能なLCDを提供する。【構成】TFT61のソース電極19と表示電極4との間にチタン薄膜23が形成されている。アルミ合金膜から成るソース電極19とチタン薄膜23とを同じメタルスパッタ装置内で連続して形成すれば、ソース電極19の表面が酸化することはない。また、ITO膜から成る表示電極4を酸素とアルゴンの混合ガス雰囲気中におけるスパッタ法で形成する際には、チタン薄膜23の表面が酸化する。しかし、酸化チタンの抵抗値はチタン単体と同程度に低いため、チタン薄膜23の表面が酸化したとしても、ソース電極19と表示電極4との間のコンタクト抵抗が増大することはない。

請求項（抜粋）：