特許

J-GLOBAL ID：200903049816725032

半導体素子の製造方法

発明者： 山内 智
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068174
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283668
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 PZT薄膜の熱処理時の異状析出やクラック等を防止し、膜特性の優れたPZT薄膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 PZT薄膜16形成時の基板11温度を400°C前後とすることでグレインの小さなPZT膜を形成し、この膜を600〜700°CのRTAで熱処理することでペロブスカイト構造への結晶化を行う。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を、電極により上下から挟間して成るキャパシターの下部電極上に、結晶粒径が1000Å以下のPZT膜を形成する工程と、前記PZT膜に熱処理を施す工程とを、順に施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 回路遮断器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-171317   出願人：松下電工株式会社