特許

J-GLOBAL ID：200903049823006050

半導体処理装置

発明者： 田中 誠嗣 ,  氏丸 直彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-288771
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057180
出願日： 2003年08月07日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】リソ後のレジスト寸法のウェハ間、ウェハ内の寸法のばらつきを抑える為にウェハと熱板との間隔を揃える。【解決手段】熱板20とウェハWとの間隔を測定するギャップセンサ8が設けられており、基板を支持する各ギャップスペーサと各ガイド部材の位置を熱板の半径方向に任意に変えることができる駆動部分を持つことを特徴とし、前記ギャップセンサよって測定されたデータの演算結果から、ガイド部材にウェハが乗りあげたと判断した場合に、半径方向にガイド部材を移動させウェハを所定の位置に調整することに特徴を有している。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板を所定位置に載置して、所定温度で加熱する熱板を有する半導体処理装置において、前記熱板の表面の平面度が数十μm以下の鏡面処理をしたことを特徴とする半導体処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  H05B3/10 ,  H05B3/68

FI (3件)：

H01L21/30 566 ,  H05B3/10 C ,  H05B3/68

Fターム (9件)：

3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB26 ,  3K092QB27 ,  3K092RF03 ,  3K092RF27 ,  3K092VV02 ,  3K092VV21 ,  5F046KA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 判別方法及び処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-230988   出願人：東京エレクトロン株式会社