III族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304073
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236261
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】転位密度が低くかつ製造コストの安いIII族窒化物結晶基板およびその製造方法、ならびにそのIII族窒化物結晶基板を含むIII族窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】液相法により、下地基板1上に第1のIII族窒化物結晶2を成長させる工程と、気相法により、第1のIII族窒化物結晶2上に第2のIII族窒化物結晶3を成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法。また、上記製造方法により得られた転位密度が1×107個/cm2以下のIII族窒化物結晶基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

液相法により、下地基板上に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、気相法により、前記第1のIII族窒化物結晶上に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/208 , H01L21/20 , H01L21/205

FI (3件)：

H01L21/208 D , H01L21/20 , H01L21/205

Fターム (25件)：

5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045DA52 , 5F052DA04 , 5F052JA07 , 5F052KA07 , 5F053AA03 , 5F053DD20 , 5F053GG01 , 5F053HH01 , 5F053PP11 , 5F053RR03 , 5F053RR05

引用特許：

審査官引用 (1件)

III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-325500 出願人：株式会社リコー

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