特許
J-GLOBAL ID：200903009330095582

III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス

発明者：
皿山 正二

皿山 正二 について

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山根 久典

山根 久典 について

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島田 昌彦

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出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 磯村 雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325500
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201100
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：
【要約】【課題】 より効率的なIII族窒化物結晶体及びその成長方法を得ること。【解決手段】 反応容器101内には、III族金属としてのGaとフラックスとしてのNaの混合融液102があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置106が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。窒素ガスは窒素供給管104を通して、反応容器101外から反応容器内の空間103に供給することができ、この時、窒素圧力を調整するために、圧力調整機構105が備えられている。III族窒化物の薄膜結晶成長用の基板となるIII族窒化物結晶が、本結晶成長装置を用いることで得られる。その結果、従来技術の複雑な工程を必要とせず、低コストで高品質なIII族窒化物結晶、及びそれを用いたデバイスを実現することが可能となる。
請求項（抜粋）：
反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質及び少なくとも窒素を含む物質から、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物を結晶成長させる結晶成長方法において、III族窒化物結晶の成長条件を、III族窒化物結晶が開始する成長条件に保持した後に、結晶成長が停止する条件に保持し、その後再度結晶成長が開始する成長条件にすることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 11/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208
FI (4件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 11/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 V
Fターム (25件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EC08 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC15 ,  5F045AE30 ,  5F045BB12 ,  5F045BB18 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F053AA23 ,  5F053AA45 ,  5F053BB27 ,  5F053BB38 ,  5F053DD20 ,  5F053FF10 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053RR03 ,  5F053RR11
引用特許：
審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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