特許
J-GLOBAL ID：200903049834443621
磁気抵抗センサおよびこれを搭載した磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-073925
公開番号（公開出願番号）：特開2001-256620
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 狭い再生シールド間隔の磁気抵抗センサにおいて、ギャップ層を通ってシールド層に漏れるセンス電流を極力小さくして、高分解能、高再生出力が得られる磁気抵抗センサおよび高記録密度に対応した磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】 下部シールド層あるいは上部シールド層の少なくとも何れか一方のシールド層において、強磁性金属と酸化物の複合膜からなる磁性層をその一部もしくは全部に用い、かつ、電極膜あるいは磁区制御膜と、上記強磁性金属と酸化物の複合膜からなる磁性層との間に絶縁保護膜を設けることにより、再生シールド間隔を狭くしたときにも、シールド層に漏れるセンス電流を極力抑えることができる。これにより、高記録密度に対応した高分解能、高出力を有する磁気ヘッドを提供することができる。さらに、このような磁気ヘッドを搭載することにより、高い記録密度を有する磁気記録再生装置を実現することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、一対のシールド層と、前記一対のシールド層の間に配置された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に電流を流すための一対の電極と、磁区制御層とを備えた磁気ヘッドであって、前記一対のシールド層の何れか一方と前記電極との間に絶縁保護膜を有することを特徴とする磁気ヘッド。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, H01F 10/14
, H01F 10/16
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01F 10/14
, H01F 10/16
, H01L 43/08 Z
5D034BA04
, 5D034BA08
, 5D034BA15
, 5D034BA17
, 5D034BB08
, 5D034BB12
, 5D034CA06
, 5D034CA08
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA16
, 5E049CB01
, 5E049CC01
, 5E049FC01
