特許

J-GLOBAL ID：200903049845043331

半導体装置及びその製造方法

発明者： 八尋 和之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312122
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153490
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】低比誘電率で平坦性に優れた層間絶縁膜を有し、高速動作が阻害されない半導体装置と製造条件の制御がしやすく低コストなその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は層間絶縁膜の形成方法であって、第1プラズマSiO2 膜31を形成する工程と、SiH4 ガスとH2 O2 との混合ガス、そのガスと弗素との混合ガス、H2 O2 とSiHxFyとの混合ガスのいずれか一つを665pa以下で、ー10°C以上+10°C以下の温度で反応させて、第1プラズマSiO2膜31上にリフロシリコン酸化膜34を形成する工程と、リフロシリコン酸化膜34上にCVDにより第2プラズマCVD絶縁膜35を形成する工程と、その後、アニールする工程とを備えている。さらに、リフロシリコン酸化膜34の膜厚は層間絶縁膜33,34,35の総膜厚の30パーセント以上50パーセント以下となっている。

請求項（抜粋）：

半導体装置の配線層間の層間絶縁膜の形成方法において、半導体基板上にCVDにより第1絶縁膜を形成する第1工程と、SiH4 とH2 O2 とを混合した第1ガス、または第1ガスと弗素とを混合した第2ガス、またはH2 O2 とSiHxFyの組成のガスとを混合した第3ガスのいずれか一つを665pa以下で、ー10°C以上+10°C以下の温度で反応させて、前記第1絶縁膜上にシリコン酸化膜から成りリフロ形状を成す第2絶縁膜を形成する第2工程と、前記第2絶縁膜上にCVDにより第3絶縁膜を形成する第3工程と、その後、アニールする第4工程とを具備し、前記第3絶縁膜の膜厚は第2、第3の絶縁膜を含む層間絶縁膜の総膜厚の30パーセント以上50パーセント以下の厚さとされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-104139
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-292107   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開平4-218947