特許
J-GLOBAL ID：200903049853353340
不揮発性強誘電体メモリ装置の参照電圧発生回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222840
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068070
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 温度が上昇したときそれに伴って参照レベルを高くすることによって、センシングマージンを改善させるようにした不揮発性強誘電体メモリ装置の参照電圧発生回路を提供する。【解決手段】 チップイネーブル区間の間に電荷供給の可否を制御する参照制御信号REF_CONがハイレベルであるとき、温度が上昇すると、参照キャパシタノードへ出力される信号もそのレベルを上昇させ出力する温度補償制御回路と、一方の電極は接地電圧端に共通に連結され、他方の電極は温度補償制御回路の出力信号を受ける参照キャパシタノードに共通接続されるように並列に連結された複数の強誘電体キャパシタと、ドレイン端は参照キャパシタノードに共通に接続され、ソース端は各々のビットラインに連結され、ゲート端は参照ワードライン信号によって共通に制御される複数のスイッチング素子とから構成され、スイッチング素子が複数の強誘電体キャパシタと共に単位参照セルアレイである。
請求項（抜粋）：
温度が上昇すると、参照キャパシタノードへ出力される信号のレベルを上昇させるように出力する温度補償制御回路と、一方の電極は接地電圧端に共通に連結され、他方の電極は前記温度補償制御回路の出力信号を受ける前記参照キャパシタノードに共通接続されるように並列に連結された複数の強誘電体キャパシタと、ドレイン端は前記参照キャパシタノードに共通に接続され、ソース端は各々のビットラインに連結され、ゲート端は参照ワードライン信号によって共通に制御される複数のスイッチング素子とから構成され、前記スイッチング素子が前記複数の強誘電体キャパシタと共に単位参照セルアレイを成すことを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ装置の参照電圧発生回路。
引用特許：
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