特許

J-GLOBAL ID：200903049853679636

薄膜トランジスタからなるデバイス

発明者： アナンス ドダバラパー ,  ハワード エダン カッツ ,  ジョイス ジー.ラクインダナム
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-281661
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135481
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】TFTに用いるnチャネル有機半導体材料の特性(特に、移動度)を改善する。【解決手段】薄膜トランジスタを有するデバイスに関する。このトランジスタは、ゲート、ソース、ドレイン、及びn形有機半導体化合物からなる。このn形有機半導体化合物は、炭素環と複素環から選択される非飽和環の単一のリニアアレーを有し、真空エネルギーレベルを基準として、約3.5〜4.6eVの最低非占有分子軌道エネルギーレベルを有する。この化合物は、2×10-4cm2V-1s-1以上の電界効果電子移動度を示す。このデバイスは、pチャネル有機TFTを有することができる。n形有機半導体化合物は、NTCDA、NTCDI、TCNNQDから選択される。

請求項（抜粋）：

ゲートと、ソースと、ドレインと、及びn型有機半導体化合物とを有する薄膜トランジスタからなるデバイスであって、このn型有機半導体化合物は、炭素環及び複素環から選択された非飽和環の単一リニアアレーを有し、LUMOエネルギーレベルが真空エネルギーレベルを基準として約3.5〜約4.6eVであり、かつ、2×10-4cm2V-1s-1以上の電界効果電子移動度を示すことを特徴とする薄膜トランジスタからなるデバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (3件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 616 V

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特表昭61-501940
  
• 特許第5563424号
  
• 特許第4371883号
  
• 有機電界効果型素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205286   出願人：株式会社東芝
• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215748   出願人：旭化成工業株式会社
• インバータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-057574   出願人：三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社