特許
J-GLOBAL ID：200903049854123879

半導体ウェハ研磨装置及びその研磨方法

発明者：
鳥井 康司

鳥井 康司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-137295
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330026
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 残膜の制御性の向上と生産性の向上とを図ることが可能な半導体ウェハ研磨装置を提供する。【解決手段】 キャリア3a,3bに吸着された半導体ウェハはヘッドブロック2全体を回転させることでプラテン1a上に位置すると、プラテン1aによって最適研磨量と推測される研磨量の70%〜90%程度が研磨される。その後に、ヘッドブロック2全体を回転させることで半導体ウェハを膜厚測定機構5上に位置させ、半導体ウェハ各々の所定位置の膜厚を膜厚測定機構5で測定する。ヘッドブロック2全体をさらに回転させることでキャリア3a,3bに吸着された半導体ウェハをプラテン1bに位置させ、プラテン1bで半導体ウェハの残膜の目標値と実測値とを比較して決定した研磨条件にて最終研磨処理を行う。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上の層間絶縁膜を研磨する半導体ウェハ研磨装置であって、前記層間絶縁膜に対する研磨をプラテンを用いて分割して行い、前記プラテンによる研磨処理の間に前記層間絶縁膜の膜厚を測定し、その測定結果に応じて最終研磨を行うようにしたことを特徴とする半導体ウェハ研磨装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304
FI (2件)：
H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 S
引用特許：
審査官引用 (4件)
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