特許
J-GLOBAL ID：200903049868878252
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309243
公開番号（公開出願番号）：特開2000-128930
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1a)、(1b)、(1c)で示されるいずれかの繰り返し単位を有する分子内又は分子間で架橋された高分子化合物。【化1】(式中、R1は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素数1〜20の非置換又はアリール基置換のアルキレン基、炭素数6〜20の非置換又はアルキル基置換のアリーレン基、又はこれらアルキレン基とアリーレン基とが結合した2価又は3価の基を示し、上記アルキレン基、アリーレン基、及びアルキレン基とアリーレン基とが結合した2価又は3価の基はヘテロ原子を含んでいてもよい。R2は水素原子、又は炭素数1〜10のアルキル基である。R3は炭素数1〜8のアルキル基である。mは0〜4の整数である。)【効果】 本発明の化合物を用いたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、レジストパターンの耐熱性、再現性にも優れ、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1a)、(1b)、(1c)で示されるいずれかの繰り返し単位を有する分子内又は分子間で架橋された高分子化合物。【化1】(式中、R1は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の非置換又はアリール基置換のアルキレン基又はアルキリジン基、炭素数6〜20の非置換又はアルキル基置換のアリーレン基又はアリーリジン基、又はこれらアルキレン基又はアルキリジン基とアリーレン基又はアリーリジン基とが結合した2価又は3価の基を示し、上記アルキレン基、アルキリジン基、アリーレン基、アリーリジン基及びアルキレン基又はアルキリジン基とアリーレン基又はアリーリジン基とが結合した2価又は3価の基はヘテロ原子を含んでいてもよい。R2は水素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。mは0〜4の整数である。)
IPC (7件)：
C08F 36/02
, C08F 12/22
, C08F 12/34
, C08F 20/10
, C08F 20/20
, C08F246/00
, G03F 7/039 601
C08F 36/02
, C08F 12/22
, C08F 12/34
, C08F 20/10
, C08F 20/20
, C08F246/00
, G03F 7/039 601
2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025BE00
, 2H025CB14
, 2H025CB17
, 2H025CB55
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA12
