特許
J-GLOBAL ID：200903066632206034
新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307363
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007650
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基に少なくとも1つの酸不安定基を有し、かつ直鎖状、分岐状又は環状の電子吸引基置換アルキル又はアリールスルホネートを持つスルホニウム塩。(但し、式中R1はアルキル基等、OR2は酸不安定基、Yは炭素数2〜20のアルキル又はアリールスルホネートで、アルキル基の場合はそのβ位以降の炭素原子に結合した水素原子の一個又は二個以上が、アリール基の場合はそのベンゼン環の水素原子の一個又は二個以上がフッ素、ニトロ基等の電子吸引基で置換されている。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数、n+mは3、rは1〜5の整数、pは0〜5の整数、qは0〜4の整数、q+rは1〜5の整数である。)【効果】 式(1)のスルホニウム塩は、微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基に少なくとも1つの酸不安定基を有し、かつ直鎖状、分岐状又は環状の電子吸引基置換アルキル又はアリールスルホネートを持つことを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1はアルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、それぞれ同じでも異なってもよく、OR2は酸不安定基であり、Yは炭素数2〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル又はアリールスルホネートで、アルキル基の場合はそのβ位以降の炭素原子に結合した水素原子の一個又は二個以上が、アリール基の場合はそのベンゼン環の水素原子の一個又は二個以上がフッ素、ニトロ基等の電子吸引基で置換されている。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつn+mは3である。rは1〜5の整数であり、pは0〜5の整数、qは0〜4の整数でq+rは1〜5の整数である。)
IPC (3件)：
C07C381/12
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
C07C381/12
, G03F 7/004 503 A
, H01L 21/30 502 R
